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25nm闪存固态硬盘容量缩水问题浮现
2011年11月14日 生活杂谈 ⁄ 共 631字 暂无评论

制造工艺的更新换代可以给闪存带来性能提升和成本的下降,这在玩家心目中几乎是公认的事实。然而大多数人可能忽略了事情的另一面,即闪存制造工艺升级带来的寿命问题。

随 着半导体制程的进步,NAND闪存的可靠性会明显下降,需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求,并预留更多存储单元来用于闪存老化,部分存储单元寿命用 尽后的屏蔽、替代问题。比如,目前大量在固态硬盘中使用的34nm MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右,而25nm闪存则只有3000次。

ntel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm工艺NAND闪存的厂商,但这两家公司的25nm闪存固态硬盘产品却还没有批量上市。倒是在SSD领域动作频频的OCZ,已经拿出了搭配25nm闪存的SandForce方案Vertex 2系列产品。

据 已经购得新版本Vertex 2固态硬盘的用户报告,120GB容量的25nm版产品在格式化前的实际容量只有115GB,比之前34nm版本少了5GB。OCZ在官方客服论坛上对此 解释称,为了让SSD达到合理的预期使用寿命,他们不得不将预留闪存空间提高了几个GB,因此“120GB硬盘未格式化容量仅有115GB是完全正常 的”。

对于容量虚标的质疑,OCZ也无奈的表示,固态硬盘内安装的NAND闪存芯片容量总和确实没有改变,因此不存在什么缩水、虚标的问题。5GB的附加容量开销是SandForce控制器的RAISE校验功能决定的,而该功能无法被厂商关闭,因此他们也没有办法改变。

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