制造工艺的更新换代可以给闪存带来性能提升和成本的下降,这在玩家心目中几乎是公认的事实。然而大多数人可能忽略了事情的另一面,即闪存制造工艺升级带来的寿命问题。 随 着半导体制程的进步,NAND闪存的可靠性会明显下降,需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求,并预留更多存储单元来用于闪存老化,部分存储单元寿命用 尽后的屏蔽、替代问题。比如,目前大量在固态硬盘中使用的34nm MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右,而25nm闪存则只有3000次。 ntel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm…